A semiconductor memory device comprises memory cells, a bitline connected
to the memory cells, a read circuit including a precharge circuit, and a
first transistor connected between the bitline and the read circuit,
wherein a first voltage is applied to a gate of the first transistor when
the precharge circuit precharges the bitline, and a second voltage which
is different from the first voltage is applied to the gate of the first
transistor when the read circuit senses a change in a voltage of the
bitline.
Un dispositivo di memoria a semiconduttore contiene le cellule di memoria, un bitline collegato alle cellule di memoria, un circuito indicato compreso un circuito di precarica e un primo transistore collegato fra il bitline ed il circuito indicato, in cui una prima tensione si applica ad un cancello del primo transistore quando il circuito di precarica precarica il bitline e una seconda tensione che รจ differente dalla prima tensione si applica al cancello del primo transistore quando il circuito indicato percepisce un cambiamento in una tensione del bitline.
