An access transistor ATR in an MTJ memory cell, which is one of transistors
connected to a read current path, is constituted with a surface-channel,
field-effect transistor. The surface-channel, field-effect transistor has
a channel resistance lower than a channel-embedded, field-effect
transistor, and can reduce an RC load in the read current path.
Accordingly, data can be read with a high speed.
Atr транзистора доступа в ячейкы памяти MTJ, который одним из транзисторов соединился к прочитанному в настоящее время курсу, образован с поверхност-kanalom, транзистором field-effect. Поверхност-kanal, транзистор field-effect имеет сопротивление канала более низкое чем транзистор канал-vrezanny1, field-effect, и может уменьшить нагрузку RC в прочитанном в настоящее время курсе. Соответственно, данные можно прочитать с high speed.
