Lateral phase change memory and method therefor

   
   

Briefly, in accordance with an embodiment of the invention, a lateral phase change memory and a method to manufacture a phase change memory is provided. The method may include forming a conductor material over a substrate and patterning the conductor material to form two electrodes from the conductor material, wherein the two electrodes are separated by a sub-lithographic distance. The method may further include forming a phase change material between the two electrodes.

Kurz in Übereinstimmung mit einer Verkörperung der Erfindung, wird ein seitliches Phase Änderung Gedächtnis und eine Methode, zum eines Phase Änderung Gedächtnisses herzustellen zur Verfügung gestellt. Die Methode kann die Formung eines Leitermaterials über einem Substrat und patterning das Leitermaterial mit einschließen, um zwei Elektroden vom Leitermaterial zu bilden, worin die zwei Elektroden durch einen Vor-lithographischen Abstand getrennt werden. Die Methode kann die Formung eines Phase Änderung Materials zwischen den zwei Elektroden weiter einschließen.

 
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