Briefly, in accordance with an embodiment of the invention, a lateral phase
change memory and a method to manufacture a phase change memory is
provided. The method may include forming a conductor material over a
substrate and patterning the conductor material to form two electrodes
from the conductor material, wherein the two electrodes are separated by a
sub-lithographic distance. The method may further include forming a phase
change material between the two electrodes.
Kurz in Übereinstimmung mit einer Verkörperung der Erfindung, wird ein seitliches Phase Änderung Gedächtnis und eine Methode, zum eines Phase Änderung Gedächtnisses herzustellen zur Verfügung gestellt. Die Methode kann die Formung eines Leitermaterials über einem Substrat und patterning das Leitermaterial mit einschließen, um zwei Elektroden vom Leitermaterial zu bilden, worin die zwei Elektroden durch einen Vor-lithographischen Abstand getrennt werden. Die Methode kann die Formung eines Phase Änderung Materials zwischen den zwei Elektroden weiter einschließen.