A high dielectric constant insulator including a thin film of a metal oxide
selected from the group consisting of tungsten-bronze-type oxides,
pyrochlore-type oxides, and combinations of Bi.sub.2 O.sub.3 with an oxide
selected from the group consisting of perovskites and pyrochlore-type
oxides. An embodiment contains metal oxides represented by the general
stoichiometric formulas AB.sub.2 O.sub.6, A.sub.2 B.sub.2 O.sub.7 and
A.sub.2 Bi.sub.2 B.sub.2 O.sub.10, wherein A represents A-site atoms
selected from the group of metals consisting of Ba, Bi, Sr, Pb, Ca, K, Na
and La; and B represents B-site atoms selected from the group of metals
consisting of Ti, Zr, Ta, Hf, Mo, W and Nb. Preferably, the metal oxides
are (Ba.sub.x Sr.sub.1-x)(Ta.sub.y Nb.sub.1-y).sub.2 O.sub.6, where
0.ltoreq.y.ltoreq.1.0 and 0.ltoreq.y.ltoreq.1.0; (Ba.sub.x
Sr.sub.1-x).sub.2 (Ta.sub.y Nb.sub.1-y).sub.2 O.sub.7, where
0.ltoreq.x.ltoreq.1.0 and 0.ltoreq.y.ltoreq.1.0; and (Ba.sub.x
Sr.sub.1-x).sub.2 Bi.sub.2 (Ta.sub.y Nb.sub.1-y).sub.2 O.sub.10, where
0.ltoreq.x.ltoreq.1.0 and 0.ltoreq.y.ltoreq.1.0. Thin films according to
the invention have a relative dielectric constant .gtoreq.40, and
preferably about 100. The value of Vcc in the metal oxides of the
invention is close to zero. The value of Tcc is <1000 ppm, preferably
<100.
Un alto isolante di costante dielettrico compreso una pellicola sottile di un ossido di metallo scelto dal tungsteno-bronzo-tipo consistente ossidi del gruppo, dal pyrochlore-tipo ossidi e dalle combinazioni di Bi.sub.2 O.sub.3 con un ossido scelto dai perovskites del gruppo e dal pyrochlore-tipo consistenti ossidi. Un incorporamento contiene gli ossidi di metallo rappresentati dalle formule stechiometriche generali AB.sub.2 O.sub.6, A.sub.2 B.sub.2 O.sub.7 ed A.sub.2 Bi.sub.2 B.sub.2 O.sub.10, in cui A rappresenta gli atomi del Un-luogo scelti dal gruppo dei metalli che consistono del Ba, della Bi, dello Sr, del Pb, del CA, di K, del Na e della La; e la B rappresenta gli atomi del B-luogo scelti dal gruppo dei metalli che consistono del Ti, lo Zr, l'AT, l'HF, il Mo, W e la N.B.: preferibilmente, gli ossidi di metallo è (Ba.sub.x Sr.sub.1-x)(Ta.sub.y Nb.sub.1-y).sub.2 O.sub.6, dove 0.ltoreq.y.ltoreq.1.0 e 0.ltoreq.y.ltoreq.1.0; (Ba.sub.x Sr.sub.1-x).sub.2 (Ta.sub.y Nb.sub.1-y).sub.2 O.sub.7, dove 0.ltoreq.x.ltoreq.1.0 e 0.ltoreq.y.ltoreq.1.0; e (Ba.sub.x Sr.sub.1-x).sub.2 Bi.sub.2 (Ta.sub.y Nb.sub.1-y).sub.2 O.sub.10, dove 0.ltoreq.x.ltoreq.1.0 e 0.ltoreq.y.ltoreq.1.0. Le pellicole sottili secondo l'invenzione hanno un gtoreq.40 relativo di costante dielettrico e preferibilmente circa 100. Il valore di Vcc negli ossidi di metallo dell'invenzione è vicino a zero. Il valore di Tcc è
