In a semiconductor memory device having a capacitor layer comprising a
dielectric film or a ferroelectric film, as an interlayer insulation film
formed between the capacitor and a wiring layer formed at the upper part
thereof or an insulation film which covers the wiring layer, a
multilayered film is used which consists of a first insulation film and a
second insulation film laid upon the other; the former being a lower layer
and being formed of an organic film, and the latter being an upper layer
and being formed of a hard-mask material. This makes it possible to
prevent thin film comprised of a dielectric material or a ferroelectric
material from any deterioration caused by the hydrogen and water contained
in the interlayer insulation film and passivation film of the
semiconductor memory device and also by the stress of these films.
Em um dispositivo de memória do semicondutor que tem uma camada do capacitor compreender uma película dieléctrica ou uma película ferroelectric, como uma película da isolação do interlayer dada forma entre o capacitor e uma camada da fiação dados forma na parte superior disso ou uma película da isolação que cubra a camada da fiação, uma película multilayered é usada que consista em uma primeira película da isolação e em uma segunda película da isolação colocadas em cima da outra; ser anterior uma camada mais baixa e sendo dado forma de uma película orgânica, e último ser uma camada superior e sendo dado forma de um material da duro-máscara. Isto faz possível impedir a película fina compreendida de um material dieléctrico ou de um material ferroelectric de toda a deterioração causada pelo hidrogênio e pela água contidos na isolação do interlayer para filmar e na película do passivation do dispositivo de memória do semicondutor e também pelo stress destas películas.
