There is a demand of a solid-state imaging device capable of being driven
at a high speed and in which the shading of sensitivity and illuminance
defect can be prevented from being caused. A solid-state imaging device
(20) comprises a light-receiving sensor section disposed on the surface
layer portion of a substrate (21) for performing a photoelectric
conversion, a charge transfer section for transferring a signal charge
read out from the light-receiving sensor section, a transfer electrode
(27) (28) made of polysilicon formed on a substrate (21) at a position
approximately above the charge transfer section through an insulating film
(26), and an interconnection made of polysilicon and interconnected to the
transfer electrode (27) (28). At least one of the polysilicon transfer
electrode (27)(28) and the interconnection is formed on a polysilicon
layer (27a) (28a) by selectively depositing a high-melting point metal
having a resistance value lower than that of polysilicon. Also, there is
provided a solid-state imaging device in which a fluctuation of a work
function of the transfer electrode can be avoided and a manufacturing
method thereof. The solid-state imaging device (10) comprises a buffer
layer (1) containing a metal silicide layer (16) is formed between the
transfer electrodes (3), (4) and a shunt interconnection layer (7) formed
of a metal layer.
Hay una demanda de un dispositivo de estado sólido de la proyección de imagen capaz de ser conducido en una velocidad y en cuál el sombrear del defecto de la sensibilidad y de la iluminación se puede evitar que sea causado. Un dispositivo de estado sólido de la proyección de imagen (20) abarca una sección de luz-recepcio'n del sensor dispuesta en la porción de la capa superficial de un substrato (21) para realizar una conversión fotoeléctrica, una sección de la transferencia de la carga para transferir una carga de la señal leída hacia fuera de la sección de luz-recepcio'n del sensor, un electrodo de la transferencia (27) (28) hizo del polysilicon formado en un substrato (21) en una posición aproximadamente sobre la sección de la transferencia de la carga a través de una película aislador (26), y de una interconexión hecha de polysilicon e interconectada al electrodo de la transferencia (27) (28). Por lo menos uno del electrodo de la transferencia del polysilicon (27)(28) y de la interconexión es formado en una capa del polysilicon (27a) (28a) selectivamente depositando un metal de fusión elevada del punto que tiene un valor de la resistencia más bajo que el del polysilicon. También, se proporciona un dispositivo de estado sólido de la proyección de imagen en el cual una fluctuación de una función del trabajo del electrodo de la transferencia se pueda evitar y un método de fabricación de eso. El dispositivo de estado sólido de la proyección de imagen (10) abarca una capa del almacenador intermediario (1) que contiene una capa del silicide del metal (16) se forma entre los electrodos de la transferencia (3), (4) y una capa de la interconexión de la desviación (7) formada de una capa del metal.
