A TFT formed on an insulating substrate source, drain and channel regions,
a gate insulating film formed on at least the channel region and a gate
electrode formed on the gate insulating film. Between the channel region
and the drain region, a region having a higher resistivity is provided in
order to reduce an Ioff current. A method for forming this structure
comprises the steps of anodizing the gate electrode to form a porous
anodic oxide film on the side of the gate electrode; removing a portion of
the gate insulating using the porous anodic oxide film as a mask so that
the gate insulating film extends beyond the gate electrode but does not
completely cover the source and drain regions. Thereafter, an ion doping
of one conductivity element is performed. The high resistivity region is
defined under the gate insulating film.
Un TFT a formé sur une source isolante de substrat, des régions de drain et de canal, un film isolant de porte formé sur au moins la région de canal et une électrode de porte formée sur le film isolant de porte. Entre la région de canal et la région de drain, une région ayant une résistivité plus élevée est fournie afin de réduire un courant d'Ioff. Une méthode pour former cette structure comporte les étapes d'anodiser l'électrode de porte pour former un film anodique poreux d'oxyde du côté de l'électrode de porte ; en enlevant une partie de la porte isolant en utilisant l'oxyde anodique poreux filmez comme masque de sorte que le film isolant de porte se prolonge au delà de l'électrode de porte mais ne couvrez pas complètement la source et ne vidangez pas des régions. Ensuite, enduire d'ion d'un élément de conductivité est exécuté. La région élevée de résistivité est définie sous le film isolant de porte.
