An n-type strained silicon MOSFET utilizes a strained silicon channel
region formed on a silicon germanium substrate. Silicon regions are
provided in the silicon geranium layer at opposing sides of the strained
silicon channel region, and shallow source and drain extensions are
implanted in the silicon regions. By forming the shallow source and drain
extensions in silicon regions rather than in silicon germanium, source and
drain extension distortions caused by the enhanced diffusion rate of
arsenic in silicon germanium are avoided.
Eine Nart belasteter Silikon MOSFET verwendet eine belastete Silikonführung Region, die auf einem Silikongermaniumsubstrat gebildet wird. Silikonregionen werden in der Silikonpelargonieschicht an entgegensetzenden Seiten der belasteten Silikonführung Region zur Verfügung gestellt, und flache Quell- und Abflußverlängerungen werden in den Silikonregionen eingepflanzt. Indem man die flachen Quell- und Abflußverlängerungen in den Silikonregionen anstatt im Silikongermanium bildet, werden Quelle und die Abflußverlängerung Verzerrungen, die durch die erhöhte Diffusion (Zerstäubung) Rate des Arsens im Silikongermanium verursacht werden, vermieden.
