A bi-directional transient voltage suppression ("TVS") device (101)
includes a semiconductor die (201) that has a first avalanche diode (103)
in series with a first rectifier diode (104) connected cathode to cathode,
electrically coupled in an anti-parallel configuration with a second
avalanche diode (105) in series with a second rectifier diode (106) also
connected cathode to cathode. All the diodes of the TVS device are on a
single semiconductor substrate (301). The die has a low resistivity buried
diffused layer (303) having a first conductivity type disposed between a
semiconductor substrate (301) having the opposite conductivity type and a
high resistivity epitaxial layer (305) having the first conductivity type.
The buried diffused layer shunts most of a transient current away from a
portion of the epitaxial layer between the first avalanche diode and the
first rectifier diode, thereby reducing the clamping voltage relative to
the breakdown voltage. The TVS device is packaged as a flip chip (202)
that has four solder bump pads (211-214). The abstract is submitted with
the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope
or meaning of the claims pursuant to 37 C.F.R. .sctn.1.72(b).
Een tweerichtings voorbijgaand apparaat van de voltageafschaffing ("TVS") (101) omvat een halfgeleidermatrijs (201) die een eerste lawinediode (103) in reeks met een eerste verbonden kathode van de gelijkrichterdiode (104) aan kathode heeft, die elektrisch in een anti-parallel configuratie aan een tweede lawinediode (105) wordt gekoppeld in reeks met een tweede verbonden kathode van de gelijkrichterdiode (106) ook aan kathode. Alle dioden van het apparaat van TVS zijn op één enkel halfgeleidersubstraat (301). De matrijs heeft een laag weerstandsvermogen begroef verspreide laag (303) een eerste geleidingsvermogentype hebben dat tussen een halfgeleidersubstraat wordt geschikt (301) die het tegenovergestelde geleidingsvermogentype hebben en een hoge weerstandsvermogen epitaxial laag (305) die het eerste geleidingsvermogentype hebben. De begraven verspreide laag leidt het grootste deel van een voorbijgaande stroom vanaf een gedeelte van de epitaxial laag tussen de eerste lawinediode en de eerste gelijkrichterdiode af, daardoor verminderend het het vastklemmen voltage met betrekking tot het analysevoltage. Het apparaat van TVS wordt verpakt als een tikspaander (202) die vier stootkussens heeft van de soldeerselbuil (211-214). De samenvatting wordt voorgelegd met het begrip dat het niet zal gebruikt worden om het werkingsgebied of het betekenen van de eisen overeenkomstig 37 C.F.R. sctn.1.72 (b) te interpreteren of te beperken.
