A method for forming a series of patterned planarized aperture fill layers
within a series of apertures within a topographic substrate layer employed
within a microelectronics fabrication. There is first provided a
topographic substrate layer employed within a microelectronics
fabrication, where the topographic substrate layer comprises a series of
mesas of substantially equivalent height but of differing widths and the
series of mesas is separated by a series of apertures. There is then
formed upon the topographic substrate layer a blanket aperture fill layer.
The blanket aperture fill layer is formed employing a simultaneous
deposition and sputter method. The blanket aperture fill layer fills the
series of apertures to a planarizing thickness at least as high as the
height of the mesas while simultaneously forming a series of protrusions
of the blanket aperture fill layer corresponding with the tops of the
series of mesas, where the thickness of a protrusion of the blanket
aperture fill layer over a narrow mesa is less than the thickness of a
protrusion of the blanket aperture fill layer over a wide mesa. The
simultaneous deposition and sputter method employs a deposition
rate:sputter rate ratio which provides sufficient thickness of the blanket
aperture fill layer over the narrow mesa to insure coverage of the edges
of the mesas. A blanket etching process is employed to remove a portion of
the blanket aperture fill layer so that chemical mechanical polish (CMP)
planarizing of the residual blanket aperture fill layer forms the series
of patterned planarized aperture fill layers within the series of
apertures.
Un metodo per formare una serie di modellato di planarized gli strati del materiale di riempimento dell'apertura all'interno di una serie di aperture all'interno di uno strato topografico del substrato impiegato all'interno di un montaggio di microelettronica. In primo luogo è fornito uno strato topografico del substrato impiegato all'interno di un montaggio di microelettronica, dove lo strato topografico del substrato contiene una serie le MESA di altezza sostanzialmente equivalente ma delle larghezze differenti e della serie di MESA è separato da una serie di aperture. Allora è formato sullo strato topografico del substrato un lo strato generale del materiale di riempimento dell'apertura. Lo strato generale del materiale di riempimento dell'apertura è formato che impiega un deposito simultaneo e polverizza il metodo. Lo strato generale del materiale di riempimento dell'apertura riempie la serie di aperture ad uno spessore planarizing almeno su quanto l'altezza delle MESA mentre simultaneamente forma una serie di sporgenze dell'apertura generale riempie lo strato che corrisponde alle parti superiori della serie di MESA, dove lo spessore di una sporgenza dello strato generale del materiale di riempimento dell'apertura sopra una MESA stretta è di meno che lo spessore di una sporgenza dello strato generale del materiale di riempimento dell'apertura sopra una MESA larga. Il deposito simultaneo e polverizza il metodo impiega un rapporto di tasso di deposito rate:sputter che fornisce lo spessore sufficiente dello strato generale del materiale di riempimento dell'apertura sopra la MESA stretta per assicurare il riempimento dei bordi delle MESA. Un processo generale acquaforte è impiegato per rimuovere una parte dello strato generale del materiale di riempimento dell'apertura in modo che (CMP) planarizing polacco meccanico chimico dello strato generale residuo del materiale di riempimento dell'apertura formi la serie di modellato di planarized gli strati del materiale di riempimento dell'apertura all'interno della serie di aperture.
