An organic semiconductor device of the present invention has an organic
semiconductor layer disposed within a depression formed in a substrate; a
drain electrode and a source electrode; and a gate electrode to face the
organic semiconductor layer with a gate insulating layer interposed.
Alternatively, an organic semiconductor device of the present invention
has an insulating layer disposed on a substrate; an organic semiconductor
layer disposed within a depression formed in the insulating layer; a drain
electrode and a source electrode; and a gate electrode disposed to face
the organic semiconductor layer with a gate insulating layer interposed.
Een organisch halfgeleiderapparaat van de onderhavige uitvinding heeft een organische halfgeleiderlaag die binnen een depressie wordt geschikt die in een substraat wordt gevormd; een afvoerkanaalelektrode en een bronelektrode; en een poortelektrode om de organische halfgeleiderlaag met een poort het isoleren ingevoegde laag onder ogen te zien. Alternatief, heeft een organisch halfgeleiderapparaat van de onderhavige uitvinding een het isoleren laag die op een substraat wordt geschikt; een organische halfgeleiderlaag die binnen een depressie wordt geschikt die in de het isoleren laag wordt gevormd; een afvoerkanaalelektrode en een bronelektrode; en een poortelektrode die wordt geschikt om de organische halfgeleiderlaag met een poort het isoleren ingevoegde laag onder ogen te zien.
