An apparatus having a circuit coupled to the gate contact of field effect
transistor wherein the transistor's gate includes a dielectric layer of
which at least a portion is an organic dielectric. The circuit is
configured to produce one or more storage voltage pulses that cause charge
to be stored in the dielectric layer. The field effect transistor has a
semiconductor layer with a conductive path whose conductivity changes for
a given V.sub.g in response to storing the charge. The circuit may produce
one or more dissipation voltage pulses having a voltage of opposite sign
to the one or more storage pulses, that cause dissipation of charge stored
in the dielectric layer. Further disclosed are a memory and a method of
electronically storing and reading information, both utilizing the
organic-based polarizable gate transistor apparatus.
Ein Apparat, der einen Stromkreis verbunden wird zum Gatterkontakt von hat, fangen Effekttransistor auf, worin das Gatter des Transistors eine dielektrische Schicht einschließt, von der mindestens ein Teil ein organischer Nichtleiter ist. Der Stromkreis wird zusammengebaut, um einen oder mehr Speicherspannung Impulse zu produzieren, die Aufladung veranlassen, in der dielektrischen Schicht gespeichert zu werden. Der auffangeneffekttransistor hat eine Halbleiterschicht mit einem leitenden Weg dessen Leitfähigkeit für ein gegebenes V.sub.g in Erwiderung auf die Speicherung der Aufladung ändert. Der Stromkreis kann einen oder mehr Ableitung Spannung Impulse produzieren, die eine Spannung des gegenüberliegenden Zeichens zu dem einem oder mehr Speicherimpulsen haben, diese Ursache Ableitung der Aufladung gespeichert in der dielektrischen Schicht. Weitere freigegeben sind ein Gedächtnis und eine Methode Informationen, beide elektronisch von speichern und von lesen, die den organisch-gegründeten polarizable Gattertransistorapparat verwenden.
