A field effect transistor includes a drain region (12) having a first
portion (18) and a second portion (20), with the second portion being more
lightly doped than the first portion. A channel region (14) is adjacent to
the second portion and a drain electrode (24) overlies the drain region. A
gate electrode (16) overlies the channel region. A shield structure (30)
overlies the drain region and has a first section (32) at a first distance
(33) from a semiconductor substrate (10) and a second section (34) at a
second distance (35) from the semiconductor substrate, the second distance
being greater than the first distance. In a particular embodiment the FET
includes a shield structure wherein the first and second sections are
physically separate. The location of these shield sections may be varied
within the FET, and the potential of each section may be independently
controlled.
Un transistor de efecto de campo incluye una región del dren (12) que tiene una primera porción (18) y una segunda porción (20), con la segunda porción que es dopada más ligeramente que la primera porción. Una región del canal (14) está adyacente a la segunda porción y un electrodo del dren (24) cubre la región del dren. Un electrodo de puerta (16) cubre la región del canal. Una estructura del protector (30) cubre la región del dren y tiene una primera sección (32) en una primera distancia (33) de un substrato del semiconductor (10) y una segunda sección (34) en una segunda distancia (35) del substrato del semiconductor, la segunda distancia que es mayor que la primera distancia. En una encarnación particular el FET incluye una estructura del protector en donde las primeras y segundas secciones son físicamente separadas. La localización de estas secciones del protector se puede variar dentro del FET, y el potencial de cada sección puede ser controlado independientemente.
