Semiconductor device having an electrode overlaps a short carrier lifetime region

   
   

A semiconductor device that helps to prevent the occurrence of current localization in the vicinity of an electrode edge and improves the reverse-recovery withstanding capability. The semiconductor device according to the invention includes a first carrier lifetime region, in which the carrier lifetime is short, formed in such a configuration that the first carrier lifetime region extends across the edge area of an anode electrode projection, which projects the anode electrode vertically into a semiconductor substrate. The first carrier lifetime region also includes a vertical boundary area spreading nearly vertically between a heavily doped p-type anode layer and a lightly doped semiconductor layer. The first carrier lifetime region of the invention is formed by irradiating with a particle beam, such as a He.sup.2+ ion beam or a proton beam.

Een halfgeleiderapparaat dat helpt om het voorkomen van huidige localisatie in de buurt van een elektrodenrand te verhinderen en de omgekeerd-terugwinning verbetert die vermogen weerstaat. Het halfgeleiderapparaat volgens de uitvinding omvat verticaal een eerste gebied van het dragerleven, in wie het dragerleven kort is, gevormd in een dergelijke configuratie dat het eerste gebied zich van het dragerleven over het randgebied van een projectie van de anodeelektrode uitbreidt, welke projecten de anodeelektrode in een halfgeleidersubstraat. Het eerste gebied van het dragerleven omvat ook een verticaal grensgebied dat bijna verticaal tussen een zwaar gesmeerde p-type anodelaag en een licht gesmeerde halfgeleiderlaag uitspreidt. Het eerste gebied van het dragerleven van de uitvinding wordt gevormd door met een deeltjesstraal, zoals te bestralen He.sup.2 + ionenstraal of een protonstraal.

 
Web www.patentalert.com

< Method of generating optical radiation, and optical radiation source

< Dual panel type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same

> Field effect transistor and method of manufacturing same

> Multi-bit ROM cell with bi-directional read and a method for making thereof

~ 00168