A semiconductor slider including an integral spin valve transistor (SVT)
having a read width of 250 nm or less disposed on a monolithic
semiconductor substrate, useful in magnetic data storage applications. The
monolithic slider may also include other magnetic and semiconductor
transistor structures and is fabricated in a single process using standard
thin-film processing steps. The SVT includes a sensor stack having a top
surface and including a first ferromagnetic (FM) layer in contact with and
forming a Schottky barrier at the monolithic semiconductor substrate, a FM
shield layer disposed over the sensor stack and in electrical contact with
the top surface thereof, a SVT emitter terminal coupled to the FM shield,
a SVT collector terminal coupled to the substrate and a SVT base terminal
coupled to the first FM layer. The sensor stack may include a spin valve
(SV) stack or a tunnel valve (TV) stack, for example.
Um slider do semicondutor including um transistor integral da válvula da rotação (SVT) que tem uma largura lida de 250 nm ou disposto mais menos em uma carcaça monolítica do semicondutor, útil em aplicações magnéticas do armazenamento de dados de. O slider monolítico pode também incluir outras estruturas magnéticas e do semicondutor do transistor e é fabricado em um único processo usando etapas processando thin-film padrão. O SVT inclui uma pilha do sensor que tem uma superfície superior e que inclui uma primeira camada (FM) ferromagnetic no contato com e que dá forma a uma barreira de Schottky na carcaça monolítica do semicondutor, em uma camada do protetor de FM disposta sobre a pilha do sensor e no contato elétrico com a superfície superior disso, em um terminal do emissor de SVT acoplado ao protetor de FM, em um terminal de coletor de SVT acoplado à carcaça e em um terminal baixo de SVT acoplado à primeira camada de FM. A pilha do sensor pode incluir uma pilha da válvula da rotação (SV) ou uma pilha da válvula do túnel (tevê), para o exemplo.
