A metal manganese oxide buffer layer is used to seed a barrier layer in a
magnetic tunnel junction memory element having pinned and free magnetic
layers. An alumina tunnel barrier layer is formed on the oxidized metal
manganese layer with the barrier layer and oxidized metal manganese layer
being between the pinned or free ferromagnetic layers.
Een laag van de het oxydebuffer van het metaalmangaan wordt gebruikt om een barrièrelaag in een magnetisch het geheugenelement te zaaien die van de tunnelverbinding gespelde en vrije magnetische lagen hebben. Een alumina laag van de tunnelbarrière wordt op de geoxydeerde laag van het metaalmangaan met de barrièrelaag en de geoxydeerde laag die van het metaalmangaan tussen de gespelde of vrije ferromagnetische lagen is gevormd.
