An ellipsometer capable of generating a small beam spot is disclosed. The
ellipsometer includes a light source for generating a narrow bandwidth
probe beam. An analyzer is provided for determining the change in
polarization state of the probe beam after interaction with the sample. A
lens is provided having a numerical aperture and focal length sufficient
to focus the beam to a diameter of less than 20 microns on the sample
surface. The lens is formed from a graded index glass wherein the index of
refraction varies along its optical axis. The lens is held in a relatively
stress free mount to reduce stress birefringence created in the lens due
to changes in ambient temperature. The ellipsometer is capable of
measuring features on semiconductors having a dimensions as small as
50.times.50 microns.
Een ellipsometer geschikt om een kleine straalvlek te produceren wordt onthuld. Ellipsometer omvat een lichtbron voor het produceren van een smalle straal van de bandbreedtesonde. Een analysator wordt verstrekt voor het bepalen van de verandering in polarisatiestaat van de sondestraal na interactie met de steekproef. Een lens wordt verstrekt hebbend een numerieke opening en een brandpuntslengte voldoende om de straal aan een diameter van minder te concentreren dan 20 microns op de steekproefoppervlakte. De lens wordt gevormd van een gesorteerd indexglas waarin de index van breking langs zijn optische as variëert. De lens wordt in een vrij vrije spanning opzet om spanningsdubbele breking gehouden te verminderen die in de lens toe te schrijven aan veranderingen in omgevingstemperatuur wordt gecreeerd. Ellipsometer kan eigenschappen meten die op halfgeleiders afmetingen zo klein hebben zoals microns 50.times.50.
