A pixel circuit with a dual gate PMOS is formed by forming two P.sup.+
regions in an N.sup.- well. The N.sup.- well is in a P.sup.- type
substrate. The two P.sup.+ regions form the source and drain of a PMOS
transistor. The PMOS transistors formed within the N.sup.- well will not
affect the collection of the photo-generated charge as long as the source
and drain potentials of the PMOS transistors are set at a lower potential
than the N.sup.- well potential so that they remain reverse biased with
respect to the N.sup.- well. One of the P.sup.+ regions used to form the
source and drain regions can be used to reset the pixel after it has been
read in preparation for the next cycle of accumulating photo-generated
charge. The N.sup.- well forms a second gate for the dual gate PMOS
transistor since the potential of the N.sup.- well 12 affects the
conductivity of the channel of the PMOS transistor. The addition of two
NMOS transistors enables the readout signal to be stored at the gate of
one of the NMOS transistors thereby making a snapshot imager possible. The
circuit can be expanded to form two PMOS transistors sharing a common
drain in the N.sup.- well.
Een pixelkring met een dubbele poort PMOS wordt gevormd door twee P.sup te vormen. + gebieden in een N.sup. - goed. N.sup. - Is goed in een P.sup. - typen substraat. Twee P.sup. + de gebieden vormen de bron en het afvoerkanaal van een PMOS transistor. De PMOS transistors die binnen N.sup. worden gevormd - goed niet de inzameling van de foto-geproduceerde last zal beïnvloeden zolang het bron en afvoerkanaalpotentieel van de PMOS transistors bij een lager potentieel dan N.sup. wordt geplaatst - goed potentieel zodat zij omgekeerd beïnvloed met betrekking tot N.sup. - goed blijven. Één van P.sup. + gebieden die worden gebruikt om de bron en afvoerkanaalgebieden te vormen kan worden gebruikt om het pixel terug te stellen nadat het als voorbereiding op de volgende cyclus van het accumuleren van foto-geproduceerde last is gelezen. N.sup. - Vormt goed een tweede poort voor de dubbele poortpmos transistor sinds het potentieel van N.sup. - 12 beïnvloedt goed het geleidingsvermogen van het kanaal van de PMOS transistor. De toevoeging van twee NMOS transistors laat dat het lezensignaal toe worden opgeslagen bij de poort van één van de NMOS transistors die daardoor momentopnameimager mogelijk maken. De kring kan worden uitgebreid om twee PMOS transistors te vormen delend een gemeenschappelijk afvoerkanaal in N.sup. - goed.
