A bipolar transistor includes a collector that is selected from the group
SiC and SiC polytypes (4H, 6H, 15R, 3C . . . ), a base that is selected
from the group Si, Ge and SiGe, at least a first emitter that is selected
from the group Si, SiGe, SiC, amorphous-Si, amorphous-SiC and diamond-like
carbon, and at least a second emitter that is selected from the group Si,
SiGe, SiC, amorphous-Si, amorphous-SiC and diamond-like carbon.
Direct-wafer-bonding is used to assemble the bipolar transistor. In an
embodiment the bandgap of the collector, the bandgap of the at least a
first emitter and the bandgap of the at least a second emitter are larger
than the bandgap of the base.
Un transistor bipolaire inclut un collecteur qui est choisi parmi le groupe SiC et les polytypes de SiC (4H, 6H, 15R, 3C. . . ), une base qui est choisie parmi le silicium, la GE et le SiGe de groupe, au moins un premier émetteur qui est choisi parmi le silicium de groupe, le SiGe, le SiC, l'amorphe-Silicium, les amorphes-SiC et diamant-comme le carbone, et au moins un deuxième émetteur qui est choisi parmi le silicium de groupe, le SiGe, le SiC, l'amorphe-Silicium, les amorphes-SiC et diamant-comme le carbone. la Diriger-gaufrette-liaison est employée pour assembler le transistor bipolaire. Dans une incorporation le bandgap du collecteur, le bandgap au moins du premier émetteur et le bandgap au moins du deuxième émetteur sont plus grands que le bandgap de la base.
