Activation of impurities is achieved without involving creation of a
crystal defect or deformation by using phonon absorption. A laser beam
(42) having a wavelength in a range of 16 to 17 .mu.m is irradiated onto
silicon, to cause phonon absorption. Before an energy supplied from the
laser beam (42) diffuses around a portion which is irradiated with the
laser beam (42), solid phase epitaxy in the portion finishes. Accordingly,
crystallization occurs only in the portion which is irradiated with the
laser beam (42), and does not occur in a portion which is not irradiated
with the laser beam (42). Hence, heat is not excessively absorbed. Also,
local phase change such as melting and solidification is not caused.
A ativação das impurezas é conseguida sem envolver a criação de um defeito de cristal ou a deformação usando o absorption do phonon. Um feixe de laser (42) que tem um wavelength em uma escala do mu.m 16 a 17 irradiated no silicone, para causar o absorption do phonon. Antes que uma energia fornecida do feixe de laser (42) difundir em torno de uma parcela que irradiated com o feixe de laser (42), o epitaxy da fase contínua na parcela termina. Conformemente, a cristalização ocorre somente na parcela que irradiated com o feixe de laser (42), e não ocorre em uma parcela que não irradiated com o feixe de laser (42). Daqui, o calor não é absorvido excessivamente. Também, a mudança local da fase tal como o derretimento e o solidification não são causados.
