The present invention aims to provide a method of manufacturing a
semiconductor device having an SOI structure, which is capable of setting
an etching process so as to cause contact etching to widely have a process
margin even in a semiconductor elemental device using an extra-thin SOI
layer. The present method is a method of manufacturing a fully
depleted-SOI device. A cobalt layer is formed on an SOI layer. Cobalt is
transformed into a cobalt silicide layer by heat treatment. An interlayer
insulating film is formed on the cobalt silicide layer, and a contact hole
is defined in the interlayer insulating film by dry etching. As an etching
gas used in such a dry etching step, a CHF3/CO gas is used. An etching
condition is set through the use of a dry etching rate held substantially
constant by use of the etching gas. Described specifically, etching time
is suitable set.
Присытствыющий вымысел направляет обеспечить метод изготовлять прибора на полупроводниках имея структуру SOI, которая способна устанавливать процесс вытравливания для того чтобы причинить контакт вытравляя широко для того чтобы иметь отростчатый допустимый предел даже в приспособлении полупроводника elemental использующ экстренн-tonki1 слой SOI. Действующим сегодня методом будет метод изготовлять польностью isto5ennoe-SOI приспособление. Слой кобальта сформирован на слое SOI. Кобальт преобразован в слой силицида кобальта обработкой жары. Пленка прослойка изолируя сформирована на слое силицида кобальта, и отверстие контакта определено в пленке прослойка изолируя сухим вытравливанием. Как газ вытравливания используемый в таком сухом шаге вытравливания, использован газ CHF3/CO. Условие вытравливания установлено через пользу сухого держат тарифа вытравливания, котор существенн постоянн by use of газ вытравливания. Я описан специфически, вытравлять время будет целесообразным комплектом.
