The present invention relates to a process for forming a near-planar or
planar layer of a conducting material, such as copper, on a surface of a
workpiece using an ECMPR technique. The process preferably uses at least
two separate plating solution chemistries to form a near-planar or planar
copper layer on a semiconductor substrate that has features or cavities on
its surface.
De onderhavige uitvinding heeft op een proces om een dichtbijgelegen-vlak of vlaklaag van een het leiden materiaal, zoals koper, op een oppervlakte van een werkstuk betrekking te vormen gebruikend een techniek ECMPR. Het proces gebruikt bij voorkeur minstens twee afzonderlijke chemie van de platerenoplossing om een dichtbijgelegen-vlak of vlakkoperlaag op een halfgeleidersubstraat te vormen dat eigenschappen of holten op zijn oppervlakte heeft.
