A re-writable memory that uses resistive memory cell elements with
non-linear IV characteristics is disclosed. Non-linearity is important in
certain memory arrays to prevent unselected cells from being disturbed and
to reduce the required current. Non-linearity refers to the ability of the
element to block the majority of current up to a certain level, but then,
once that level is reached, the element allows the majority of the current
over and above that level to flow.
Una memoria re-writable che usa gli elementi resistenti delle cellule di memoria con le caratteristiche non lineari del dispositivo di venipunzione è rilevata. La non linearità è importante in determinati allineamenti di memoria da impedire le cellule non selezionate il disturbo e da ridurre la corrente richiesta. La non linearità si riferisce alla capacità dell'elemento di ostruire la maggior parte della corrente fino ad un determinato livello, ma allora, una volta che quel livello è raggiunto, l'elemento concede la maggior parte della corrente in aggiunta a quel livello a flusso.
