Nonvolatile ferroelectric memory device having multi-bit control function

   
   

A nonvolatile ferroelectric memory device having a multi-bit control function can store and sense multi-bit data in a ferroelectric memory cell. In the memory device, a plurality of cell array blocks generates a plurality of different sensing critical voltages in a reference timing strobe interval. As a result, in different time intervals, the plurality of sensing critical voltages are compared with a plurality of cell data sensing voltages applied from a main bitline. A data register array unit stores a plurality of cell data applied from the plurality of cell array blocks in response to a plurality of read lock signals activated at different timings in different time intervals, respectively. Therefore, the plurality of data bits can be stored in a cell.

Um dispositivo de memória ferroelectric permanente que tem uma função de controle do multi-bocado pode armazenar e detetar dados do multi-bocado em uma pilha de memória ferroelectric. No dispositivo de memória, um plurality de blocos da disposição de pilha gera um plurality de tensões críticas detetando diferentes em um intervalo do estroboscópio do sincronismo da referência. Em conseqüência, em intervalos diferentes do tempo, o plurality de detetar tensões críticas é comparado com um plurality dos dados da pilha que detetam as tensões aplicadas de um bitline principal. Uma unidade da disposição do registo dos dados armazena um plurality dos dados da pilha aplicados do plurality de blocos da disposição de pilha em resposta a um plurality dos sinais do fechamento lido ativados em sincronismos diferentes em intervalos diferentes do tempo, respectivamente. Conseqüentemente, o plurality de bocados de dados pode ser armazenado em uma pilha.

 
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