A high external quantum efficiency is stably secured in a semiconductor
light emitting device. At least one recess and/or protruding portion is
created on the surface portion of a substrate for scattering or
diffracting light generated in a light emitting region. The recess and/or
protruding portion has a shape that prevents crystal defects from
occurring in semiconductor layers.
Una alta eficacia externa del quántum se asegura estable en un dispositivo que emite ligero del semiconductor. Por lo menos una hendidura y/o la porción que resalta se crea en la porción superficial de un substrato para dispersar o difractar la luz generada en una región que emite ligera. La hendidura y/o la porción que resalta tiene una forma que evite que los defectos cristalinos ocurran en capas del semiconductor.
