Light-emitting semiconductor potting composition and light-emitting semiconductor device

   
   

A potting composition comprising (A) an organopolysiloxane having a vinyl group at an end of its molecular chain, (B) an organohydrogenpolysiloxane, (C) a platinum group metal catalyst, and optionally, (D) an organosilicon compound having a silicon atom-bonded alkoxy group. The cured product of the composition has a refractive index of 1.41-1.56 at 25.degree. C. and 589 nm (sodium D line). The composition is suited for the embedment and protection of light-emitting semiconductor members. A package in which a light-emitting semiconductor member is embedded and protected with the potting composition undergoes little discoloration and maintains a high emission efficiency in heating tests, thus offering a light-emitting semiconductor device featuring a long life and energy saving.

Ein Pottingaufbau, der (a) ein organopolysiloxane haben eine Vinylgruppe an einem Ende seiner molekularen Kette, (b) ein organohydrogenpolysiloxane, (c) einen Platingruppe Metallkatalysator und beliebig, (d) ein Organosiliziummittel hat ein Silikon enthält, Atom-band alkoxy Gruppe ab. Das kurierte Produkt des Aufbaus hat einen Brechungsindex von 1.41-1.56 an 25.degree. C. und 589 nm (Linie des Natrium D). Der Aufbau wird für das embedment und den Schutz der lichtemittierenden Halbleitermitglieder entsprochen. Ein Paket, in dem ein lichtemittierendes Halbleitermitglied mit dem Pottingaufbau eingebettet und geschützt wird, macht wenig Entfärbung durch und behält eine hohe Emission-Leistungsfähigkeit in den Heizung Tests bei und so bietet ein lichtemittierendes Halbleiterelement an, das eine lange Leben- und Energieeinsparung kennzeichnet.

 
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