Electrochemical device

   
   

An electrochemical transistor device is provided, comprising a source contact, a drain contact, at least one gate electrode, an electrochemically active element arranged between, and in direct electrical contact with, the source and drain contacts, which electrochemically active element comprises a transistor channel and is of a material comprising an organic material having the ability of electrochemically altering its conductivity through change of redox state thereof, and a solidified electrolyte in direct electrical contact with the electrochemically active element and said at least one gate electrode and interposed between them in such a way that electron flow between the electrochemically active element and said gate electrode(s) is prevented. In the device, flow of electrons between source contact and drain contact is controllable by means of a voltage applied to said gate electrode(s).

Een elektrochemisch transistorapparaat wordt verstrekt, bestaand uit een broncontact, uit een afvoerkanaalcontact, uit minstens één poortelektrode, uit een elektrochemisch actief element die tussen wordt geschikt, en in direct elektrocontact met, de bron en afvoerkanaalcontacten, die het actieve element elektrochemisch uit een transistorkanaal bestaat en van een materiaal bestaand uit een organisch materiaal dat de capaciteit van elektrochemisch het veranderen van zijn geleidingsvermogen door verandering van redoxstaat heeft daarvan is, en uit een hard gemaakte elektrolyt in direct elektrocontact met het elektrochemisch actieve element en bovengenoemd minstens één poortelektrode en die tussen hen wordt ingevoegd zodanig dat de elektronenstroom tussen het elektrochemisch actieve element en de bovengenoemde poortelektrode (s) wordt verhinderd. In het apparaat, is de stroom van elektronen tussen broncontact en afvoerkanaalcontact controleerbaar door middel van een voltage dat op bovengenoemde poortelektrode (s) wordt toegepast.

 
Web www.patentalert.com

< Light-emitting semiconductor potting composition and light-emitting semiconductor device

< Semiconductor device with surge protective component and method of manufacturing the semiconductor device

> Layout of a decoder and the method thereof

> Integrated high performance MOS tunneling LED in ULSI technology

~ 00139