In order to provide a reliable surge protective component with a
straightforward manufacturing process, first and second buried layers are
diffused over the entire inside surfaces of a semiconductor substrate, and
first and second base layers are then diffused over the entire inside
surfaces of the first and second buried layers. First and second emitter
layers are then partially diffused at the inside of the first and second
base layers. The peripheries of the first and second emitter layers are
then surrounded by first and second moats, the bottoms of which reach the
first and second buried layers. A PN junction formed between the first and
second base layers and first and second buried layers is then simply a
planar junction.
Afin de fournir à un composant protecteur de montée subite fiable un processus de fabrication franc, des couches d'abord et en second lieu enterrées sont répandues au-dessus des surfaces intérieures entières d'un substrat de semi-conducteur, et d'abord et les deuxièmes couches basses sont alors répandues au-dessus des surfaces intérieures entières des premières et deuxièmes couches enterrées. D'abord et les deuxièmes couches d'émetteur alors sont partiellement répandus à l'intérieur des premières et deuxièmes couches basses. Les périphéries des premières et deuxièmes couches d'émetteur sont alors entourées près d'abord et les deuxièmes fossés, dont les fonds atteignent les premières et deuxièmes couches enterrées. Une jonction de PN formée entre les premières et deuxièmes couches basses et les couches d'abord et en second lieu enterrées est alors simplement une jonction planaire.
