A photodetector comprising a gallium nitride substrate, at least one active
layer disposed on the substrate, and a conductive contact structure
affixed to the active layer and, in some embodiments, the substrate. The
invention includes photodetectors having metal-semiconductor-metal
structures, P-i-N structures, and Schottky-barrier structures. The active
layers may comprise Ga.sub.1-x-y Al.sub.x In.sub.y N.sub.1-z-w P.sub.z
As.sub.w, or, preferably, Ga.sub.1-x Al.sub.x N. The gallium nitride
substrate comprises a single crystal gallium nitride wafer and has a
dislocation density of less than about 10.sup.5 cm.sup.-2. A method of
making the photodetector is also disclosed.
Ένας φωτοανιχνευτής περιλαμβάνοντας ένα υπόστρωμα νιτριδίων γαλλίου, τουλάχιστον ένα ενεργό στρώμα που διατίθενται στο υπόστρωμα, και μια αγώγιμη δομή επαφών που επισυνάπτεται στο ενεργό στρώμα και, σε μερικές ενσωματώσεις, το υπόστρωμα. Η εφεύρεση περιλαμβάνει τους φωτοανιχνευτές που έχουν τις δομές μέταλλο-ημιαγωγός-μετάλλων, τις δομές καρφιτσών, και τις δομές σθχοττκυ-εμποδίων. Τα ενεργά στρώματα μπορούν να περιλάβουν το γα.σuψ.1-Χ-Υ Al.sub.x In.sub.y ν.σuψ.1-ζ-Θ*Ω P.sub.z As.sub.w, ή, κατά προτίμηση, το γα.σuψ.1-Χ Al.sub.x ν. Το υπόστρωμα νιτριδίων γαλλίου περιλαμβάνει μια γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου και έχει μια πυκνότητα εξάρθρωσης λιγότερο απ' ό,τι για 10.sup.5 θμ.σuπ.-2. Μια μέθοδος παραγωγής ο φωτοανιχνευτής αποκαλύπτεται επίσης.
