This invention utilizes a large volume plasma processor to completely
ionize any feedstock material and deposit the ionized and unionized
species of elements of the feedstock material on deposition stages.
Apparatus is provided for generating a toroidal, high temperature, low
density plasma in the large volume plasma processor. Key aspects of the
method provide for (a) controlling temperature by rapid heating and (b)
maintaining toroidal plasma current by rapid application of increased
driving voltages. The invention provides a large surface area source of
any desired elements to increase safety and thruput in microchip
fabrication. Other applications include nanotechnology fabrication and
improvement of surface properties of materials.
Esta invenção utiliza um processador grande do plasma do volume para ionizar completamente todo o material do feedstock e para depositar ionizada e unionized a espécie dos elementos do material do feedstock em estágios do deposition. O instrumento é fornecido gerando um plasma da densidade toroidal, de alta temperatura, baixa no processador grande do plasma do volume. Os aspectos chaves do método fornecem para (a) a temperatura controlando pelo heating rápido e (b) mantendo a corrente toroidal do plasma pela aplicação rápida de tensões dirigindo aumentadas. A invenção fornece uma fonte grande da área de superfície de todos os elementos desejados à segurança e ao thruput do aumento na fabricação do microchip. Outras aplicações incluem a fabricação do nanotechnology e a melhoria das propriedades de superfície dos materiais.
