A method of depositing a film of a metal chalcogenide. The first of these
methods includes the steps of: contacting at least one metal chalcogenide,
a hydrazine compound and optionally, an elemental chalcogen, to produce a
solution of a hydrazinium-based precursor of the metal chalcogenide;
applying the solution of the hydrazinium-based precursor of the metal
chalcogenide onto a substrate to produce a film of the precursor; and
thereafter annealing the film of the precursor to remove excess hydrazine
and hydrazinium chalcogenide salts to produce a metal chalcogenide film on
the substrate. The second of these methods includes the steps of:
contacting: at least one metal chalcogenide and a salt of an amine
compound to produce an ammonium-based precursor of the metal chalcogenide;
contacting the ammonium-based precursor of the metal chalcogenide and a
hydrazine compound, and optionally, an elemental chalcogen, to produce a
solution of a hydrazinium-based precursor of the metal chalcogenide in the
hydrazine compound; applying the solution of the hydrazinium-based
precursor onto a substrate to produce a film; and thereafter, annealing to
produce a metal chalcogenide film. Also provided is a thin-film
field-effect transistor device using the metal chalcogenides as the
channel layer.
Um método de depositar uma película de um chalcogenide do metal. O primeiro destes métodos inclui as etapas de: contatando ao menos um chalcogenide do metal, um composto do hydrazine e opcionalmente, um chalcogen elemental, para produzir uma solução de um precursor hydrazinium-baseado do chalcogenide do metal; aplicando a solução do precursor hydrazinium-baseado do chalcogenide do metal em uma carcaça para produzir uma película do precursor; e depois disso recozendo a película do precursor para remover os sais adicionais do chalcogenide do hydrazine e do hydrazinium para produzir uma película do chalcogenide do metal na carcaça. O segundo destes métodos inclui as etapas de: contatar: ao menos um chalcogenide do metal e um sal de um composto do amine para produzir um precursor ammonium-baseado do chalcogenide do metal; contatando o precursor ammonium-baseado do chalcogenide do metal e de um composto do hydrazine, e opcionalmente, um chalcogen elemental, para produzir uma solução de um precursor hydrazinium-baseado do chalcogenide do metal no composto do hydrazine; aplicando a solução do precursor hydrazinium-baseado em uma carcaça para produzir uma película; e depois disso, recozendo para produzir uma película do chalcogenide do metal. É fornecido também um dispositivo thin-film do transistor do field-effect usando os chalcogenides do metal como a camada da canaleta.
