In accordance with an embodiment of the invention, a semiconductor memory
includes a number of data ports each having a predetermined number of data
bits. The memory further has a number of memory macros each including at
least one memory array having rows and columns of memory cells. Each
memory macro further includes a plurality of internal data connection
points directly connected to external terminals to transfer data to or
from the at least one memory array. The internal data connection points
correspond in number to the number of the data ports, and the internal
data connection points in the memory macros together form the plurality of
data ports.
В соответствии с воплощением вымысла, память полупроводника вклюает несколько порты каждое данных имея предопределенный количество битов информации. Память более дальнейшая имеет несколько макросы каждое памяти включая по крайней мере один блок памяти имея рядки и колонки ячейкы памяти. Каждый макрос памяти более дальнейший вклюает множественность внутренне пунктов соединения данных сразу подключенных к внешним стержням к данным по перехода to or from по крайней мере один блок памяти. Внутренне пункты соединения данных соответствуют in number к числу портов данных, и внутренне соединение данных указывает в макросы памяти совместно формирует множественность портов данных.
