An object of the present invention is to provide a lowcost semiconductor
substrate made of an aluminum-silicon carbide (Al--SiC) composite material
that has excellent thermal performance and that is capable of maintaining
high dimensional accuracy and stability when practically used while coping
with the flow of rapid diversification of a practical shape. Another
object is to provide a package that can mount a semiconductor element that
uses the substrate, and provide a semiconductor device that uses the
substrate. In an aluminum-silicon carbide (Al--SiC) semiconductor
substrate whose first component is a metal chiefly composed of aluminum
(Al) and whose second component is silicon carbide (SiC), the second
component is compositionally 5 to 60% by weight of the whole and the
remainder is the first component, and a warp in the direction of its main
surface is 3 .mu.m/mm or less.
Un objet de la présente invention est de fournir un substrat de semi-conducteur de lowcost fait d'une matière composite de carbure d'aluminium-silicium (Al -- SiC) qui a l'excellente exécution thermique et qui est capable de maintenir l'exactitude et la stabilité dimensionnelles élevées une fois pratiquement utilisée tout en faisant face à l'écoulement de la diversification rapide d'une forme pratique. Un autre objet est de fournir un paquet qui peut monter un élément de semi-conducteur qui emploie le substrat, et fournit un dispositif de semi-conducteur qui emploie le substrat. Dans un substrat de semi-conducteur de carbure d'aluminium-silicium (Al -- SiC) dont le premier composant est un métal a principalement composé d'aluminium (Al) et dont le deuxième composant est carbure de silicium (SiC), le deuxième composant est compositionnellement 5 à 60% en poids du tout et le reste est le premier composant, et une chaîne dans la direction de sa surface principale est le mu.m/mm 3 ou moins.
