A stereolithographic method of applying material to form a protective layer
on a preformed semiconductor die with a high degree of precision, either
in the wafer stage, when attached to a lead frame, or to a singulated,
bare die. The method is computerized and may utilize a machine vision
feature to provide precise die-specific alignment. A semiconductor die may
be provided with a protective structure in the form of at least one layer
or segment of dielectric material having a controlled thickness or depth
and a very precise boundary. The layer or segment may include precisely
sized, shaped and located apertures through which conductive terminals,
such as bond pads, on the surface of the die may be accessed. Dielectric
material may also be employed as a structure to mechanically reinforce the
die-to-lead frame attachment.
Un método stereolithographic de aplicar el material para formar una capa protectora en un dado preformado del semiconductor con un alto grado de la precisión, cualquiera en la etapa de la oblea, cuando estaba unido al plomo un marco, o a a singulated, descubre el dado. El método se automatiza y puede utilizar una característica de la visión de la máquina para proporcionar la alineación morir-especi'fica exacta. Un dado del semiconductor se puede proporcionar una estructura protectora en la forma por lo menos de un capa o segmento del material dieléctrico que tiene un grueso o una profundidad controlada y un límite muy exacto. La capa o el segmento puede incluir las aberturas exacto clasificadas, formadas y localizadas a través de las cuales los terminales conductores, tales como cojines en enlace, en la superficie del dado pueden ser alcanzados. El material dieléctrico puede también ser empleado mientras que una estructura para reforzar mecánicamente morir-a-conduce el accesorio del marco.
