A thin film capacitor including a first electrode structural body, a second
electrode structural body and a dielectric thin film provided between the
first and second electrode structural bodies and containing a bismuth
layer structured compound. The surface of the first electrode structural
body in contact with the dielectric thin film is oriented in the [001]
direction. As a result, the dielectric thin film is naturally oriented so
that its c axis is substantially perpendicular to the electrode structural
bodies. When a voltage is applied between the first and second electrode
structural bodies, since the direction of the electric field substantially
coincides with the c axis of the bismuth layer structured compound, the
bismuth layer structured compound can be prevented from exhibiting the
ferroelectric property and made to sufficiently exhibit the paraelectric
property. Further, a bismuth oxide layer (Bi.sub.2 O.sub.2).sup.2+
functions as an insulating layer, thereby improves the insulation property
of the dielectric thin film while makes the thin film much thinner.
Een dunne filmcondensator met inbegrip van een eerste elektroden structureel lichaam, een tweede elektroden structureel lichaam en een diëlektrische dunne film die tussen de eerste en tweede elektroden structurele organismen wordt verstrekt en het bevatten van een bismutlaag structureerde samenstelling. De oppervlakte van het eerste elektroden structurele lichaam in contact met de diëlektrische dunne film is georiënteerd in de [ 001 ] richting. Dientengevolge, is de diëlektrische dunne film natuurlijk georiënteerd zodat zijn cas aan de elektroden structurele organismen wezenlijk loodrecht is. Wanneer een voltage tussen de eerste wordt toegepast en tweede elektroden structurele organismen, aangezien de richting van het elektrische veld wezenlijk met de cas van de bismutlaag gestructureerde samenstelling samenvalt, kan de bismutlaag gestructureerde samenstelling worden verhinderd het ferroelectric bezit tentoon te stellen en worden gemaakt om het paraelectric bezit voldoende tentoon te stellen. Verder, een laag van het bismutoxyde (Bi.sub.2 O.sub.2).sup.2 + de functies als het isoleren laag, verbeteren daardoor het isolatiebezit van de diëlektrische dunne film terwijl de dunne film veel dunner maakt.
