Method of calibrating and using a semiconductor processing system

   
   

A method is provided wherein a temperature reading error of a pyrometer is avoided. An upper pyrometer is used to detect infrared radiation from a test layer formed on a test substrate under standard processing conditions. The infrared radiation from the test layer has a period having a length which is indicative of growth rate of the layer. The period is generally inversely proportional to the growth rate. The growth rate is directly related to the temperature.

Une méthode est fournie où une erreur de lecture de la température d'un pyromètre est évitée. Un pyromètre supérieur est utilisé pour détecter le rayonnement infrarouge d'une couche d'essai formée sur un substrat d'essai dans des conditions standard de traitement. Le rayonnement infrarouge de la couche d'essai a une période avoir une longueur qui est indicative du taux de croissance de la couche. La période est généralement inversement proportionnelle au taux de croissance. Le taux de croissance est directement lié à la température.

 
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