A package-ready light-sensitive integrated circuit and process for
preparing a light-sensitive semiconductor substrate for packaging that
provide for a reduced exposure of a light-sensitive integrated circuit to
light. The package-ready light-sensitive integrated circuit includes a
semiconductor substrate (e.g., a silicon wafer) with an upper surface and
a lower surface and lateral edges, an individual light-sensitive
integrated circuit formed in and on the upper surface of the semiconductor
substrate, and an opaque material layer covering the lower surface and
lateral edges of the semiconductor substrate. The opaque material layer
prevents light from entering the semiconductor substrate and interfering
with operation of the light-sensitive integrated circuit. The process
includes first providing at least one semiconductor substrate with a
plurality of light-sensitive integrated circuits formed in and on its
upper surface. Next, the semiconductor substrate(s) is diced to form
individual light-sensitive integrated circuits, each of which has a
semiconductor substrate lower surface and semiconductor substrate lateral
edges. The individual light-sensitive integrated circuits are then
transferred into a magazine and their semiconductor substrate lower
surface and semiconductor substrate lateral edges covered (for example by
injection molding) with an opaque material (e.g., an opaque molding
compound or opaque epoxy) to form an opaque material layer thereon,
thereby forming coated light-sensitive integrated circuits. The coated
light-sensitive integrated circuits are then removed from the magazine.
Eine Paket-bereite lichtempfindliche integrierte Schaltung und ein Prozeß für das Vorbereiten eines lichtempfindlichen Halbleitersubstrates für das Verpacken das stellen für eine verringerte Belichtung einer lichtempfindlichen integrierten Schaltung zum Licht zur Verfügung. Die Paket-bereite lichtempfindliche integrierte Schaltung schließt ein Halbleitersubstrat (z.B., eine Silikonoblate) mit einer Oberfläche mit ein und eine Unterseite und seitliche Ränder, eine einzelne lichtempfindliche integrierte Schaltung bildeten sich und auf in der Oberfläche des Halbleitersubstrates und in einer undurchlässigen materiellen Schicht, welche die Unterseite und die seitlichen Ränder des Halbleitersubstrates umfaßt. Die undurchlässige materielle Schicht verhindert Licht am Betreten des Halbleitersubstrates und am Behinderen Betrieb der lichtempfindlichen integrierten Schaltung. Der Prozeß schließt mindestens ein Halbleitersubstrat mit einer Mehrzahl der lichtempfindlichen integrierten Schaltungen zuerst versehen ein, die in und auf seiner Oberfläche gebildet werden. Zunächst wird das Halbleiter substrate(s) gewürfelt, um einzelne lichtempfindliche integrierte Schaltungen zu bilden, von denen jede eine Unterseite des Halbleitersubstrates und Halbleitersubstratseitenteilränder hat. Die einzelnen lichtempfindlichen integrierten Schaltungen werden dann in eine Zeitschrift und in ihre Unterseite des Halbleitersubstrates und seitlichen umfaßten Ränder des Halbleitersubstrates (zum Beispiel durch Spritzen) in mit einem undurchlässigen Material (z.B., ein undurchlässiges Formteilmittel oder ein undurchlässiges Epoxid) um eine undurchlässige materielle Schicht darauf zu bilden gebracht, dadurch bildet man überzogene lichtempfindliche integrierte Schaltungen. Die überzogenen lichtempfindlichen integrierten Schaltungen werden dann von der Zeitschrift entfernt.
