An ultraviolet-programmable P-type Mask ROM is described. The threshold
voltages of all memory cells are raised at first to make each memory cell
to be in a first logic state, in which the channel is hard to switch on,
in order to prevent a leakage current. After the bit lines and the word
lines are formed, the Mask ROM is programmed by irradiating the substrate
with UV light to inject electrons into the ONO layer under the openings to
make the memory cells under the openings be in a second logic state.
Un P-tipo ultravioletto-programmabile ROM della mascherina è descritto. Le tensioni della soglia di tutte le cellule di memoria sono sollevate inizialmente per fare ogni cellula di memoria per essere in una prima logica dichiarano, in cui la scanalatura è dura da inserirsi, per impedire una corrente di perdita. Dopo le linee della punta e la parola le linee sono formate, la ROM della mascherina è programmata irradiando il substrato con luce UV per iniettare gli elettroni nello strato di ONO sotto le aperture per fare le cellule di memoria sotto le aperture essere in una seconda logica dichiarano.
