A method of forming a metal-oxide-metal (MIM), capacitor structure wherein
the fabrication procedures used for the MIM capacitor structure are
integrated into a process sequence used to form damascene type copper
interconnect structures for CMOS type devices, has been developed. The
process sequence features a copper damascene connector located overlying
exposed portions of a semiconductor substrate, and underlying the MIM
capacitor structure. The MIM capacitor structure, comprised a capacitor
dielectric layer sandwiched between conductive capacitor plates, is
protected during several selective reactive ion etching patterning
procedures by an overlying anti-reflective coating (ARC), insulator shape,
and by insulator spacers located on the sides of the ARC shape and on the
sides of a capacitor dielectric shape. The presence of the insulator shape
protects the MIM capacitor structure during a subsequent process used to
define another copper damascene connector structure, overlying and
contacting the MIM capacitor structure.
Um método de dar forma a um metal-óxido-metal (MIM), estrutura do capacitor wherein os procedimentos de fabricação usados para a estrutura do capacitor MIM são integrados em uma seqüência process usada dar forma ao tipo damascene estruturas do interconnect do cobre para o tipo dispositivos do CMOS, foi desenvolvido. A seqüência process caracterizam damascene de cobre parcelas expostas overlying encontradas um conector de uma carcaça do semicondutor, e o subjacente a estrutura do capacitor MIM. A estrutura do capacitor MIM, compreendida uma camada dieléctrica do capacitor imprensada entre placas condutoras do capacitor, é protegida durante diversos procedimentos modelando gravura a água-forte reactive seletiva do íon por um revestimento anti-reflexivo sobrejacente (ARCO), pela forma do isolador, e pelos espaçadores do isolador situados nos lados da forma do ARCO e nos lados de uma forma do dielétrico do capacitor. A presença da forma do isolador protege a estrutura do capacitor MIM durante um processo subseqüente usado definir uma outra estrutura damascene de cobre do conector, overlying e contatando a estrutura do capacitor MIM.
