Method and structure for optimizing dual damascene patterning with
polymeric dielectric materials are disclosed. Certain embodiments of the
invention comprise polymeric sacrificial light absorbing materials
("polymer SLAM") functionalized to have a controllable solubility switch
wherein such polymeric materials have substantially the same etch rate as
conventionally utilized polymeric dielectric materials, and subsequent to
chemical modification of solubility-modifying protecting groups comprising
the SLAM materials by thermal treatment or in-situ generation of an acid,
such SLAM materials become soluble in weak bases, such as those
conventionally utilized to remove materials in lithography treatments.
Показаны метод и структура для оптимизировать двойной damascene делая по образцу с полимерными диэлектрическими материалами. Некоторые воплощения вымысла состоят из полимерных жертвенных светлых absorbing материалов ("SLAM полимера") functionalized для того чтобы иметь controllable переключатель растворимости при котором такие полимерные материалы имеют существенн такой же тариф etch как обычно использованные полимерные диэлектрические материалы, и затем к химически изменению растворимост-dorabatyva4 защищая групп состоя из материалов SLAM термально обработкой или in-situ поколением кислоты, такие материалы SLAM будут soluble в слабых основаниях, such as те обычно использованные для того чтобы извлечь материалы в обработках литографированием.
