A SRAM cell fabricated in SSOI (selective silicon on insulator) comprises
cross coupled PFET pull-up devices P1, P2 and NFET pull-down devices N1,
N2, with the P1, P2 devices being connected to the power supply and the
N1, N2 devices being connected to the ground. A first passgate NL is
coupled between a first bitline and the junction of the devices P1 and N1,
with its gate coupled to a wordline, and a second passgate NR is coupled
between a second bitline and the junction of devices P2 and N2, with its
gate coupled to the wordline. Each of the pull-up devices P1, P2, the
pull-down devices N1, N2, and the first and second passgates NL, NR are
fabricated with selective SOI, with buried oxide being selectively
provided under the drains of the pull-up devices P1 and P2, the drains of
the pull-down devices N1 and N2, and the sources and drains of the
passgate devices NL and NR.
Ένα κύτταρο SRAM που κατασκευάζεται σε SSOI (εκλεκτικό πυρίτιο επί μονωτικού) περιλαμβάνει τις διαγώνιες συνδεμένες PFET pull-up συσκευές P1, P2 και pull-down NFET συσκευές N1, Ν2, με P1, P2 συσκευές που συνδέονται με την παροχή ηλεκτρικού ρεύματος και N1, συσκευές Ν2 που συνδέονται με το έδαφος. Μια πρώτη passgate NL συνδέεται μεταξύ ενός πρώτου bitline και της σύνδεσης των συσκευών P1 και N1, με την πύλη της που συνδέεται με ένα wordline, και ένα δεύτερο passgate NR συνδέεται μεταξύ ενός δεύτερου bitline και της σύνδεσης των συσκευών P2 και του Ν2, με την πύλη του που συνδέεται με το wordline. Κάθε μια από τις pull-up συσκευές P1, P2, οι pull-down συσκευές N1, Ν2, και η πρώτη και δεύτερη passgates NL, NR κατασκευάζεται με εκλεκτικό SOI, με το θαμμένο οξείδιο επιλεκτικά που παρέχεται κάτω από τους αγωγούς των pull-up συσκευών P1 και P2, τους αγωγούς των pull-down συσκευών N1 και του Ν2, και τις πηγές και τους αγωγούς των συσκευών NL passgate και NR.
