A capacitive structure including single crystal silicon and an insulating
layer in a semiconductor substrate. One embodiment of the present
invention includes an optical switching device having one or more
capacitive structures including single crystal silicon in a substrate such
as a silicon-on-insulator (SOI) wafer and can be used in a variety of high
bandwidth applications including multi-processor, telecommunications,
networking or the like. In one embodiment, a capacitive structure includes
single crystal silicon disposed in a first semiconductor material with an
insulating layer disposed between the single crystal silicon and the
semiconductor material. In one embodiment, a capacitive structure may be
formed by laterally growing single crystal silicon through an opening in a
trench adjacent to a trench where the capacitive structures is formed.
Una struttura capacitiva compreso il silicone del monocristallo e uno strato isolante in un substrato a semiconduttore. Un metodo di realizzazione di presente invenzione include un dispositivo ottico di commutazione che ha una o più strutture capacitive compreso il silicone del monocristallo in un substrato quale una cialda dell'silicone-su-isolante (SOI) e può essere usato in una varietà di alte applicazioni di larghezza di banda compreso il multiprocessore, le telecomunicazioni, la rete e simili. In un incorporamento, una struttura capacitiva include il silicone del monocristallo disposto di in un primo materiale a semiconduttore con uno strato isolante disposto di fra il silicone del monocristallo ed il materiale a semiconduttore. In un incorporamento, una struttura capacitiva può essere costituita lateralmente dalla crescita del silicone del monocristallo con un'apertura in una trincea adiacente ad una trincea in cui le strutture capacitive è formata.
