The present invention aims at realizing a phosphor thin film having a high
luminance with a low emission threshold voltage, and an EL element
comprising the same. The EL element of the present invention comprises a
substrate, and a lower electrode, a lower buffer thin film containing a
sulfide such as ZnS, a phosphor thin film containing an oxide such as a
gallate as a matrix material, an upper buffer thin film containing a
sulfide such as ZnS, and an upper electrode which are successively
laminated on the substrate.
Die anwesende Erfindung strebt an, einen Phosphordünnfilm, der eine hohe Helligkeit mit einer niedrigen Emissionschwelle Spannung haben, und ein EL Element zu verwirklichen, welches dasselbe enthält. Das EL Element der anwesenden Erfindung enthält ein Substrat und eine unterere Elektrode, ein Dünnfilm des untereren Puffers, der ein Sulfid wie ZnS enthalten, ein Phosphordünnfilm, der ein Oxid wie ein Gallat als Matrixmaterial enthalten, ein Dünnfilm des oberen Puffers, der ein Sulfid wie ZnS enthalten, und eine obere Elektrode, die mehrmals hintereinander auf dem Substrat lamelliert werden.
