Roughly described, a silicon layer transitions from polysilicon at one
surface to amorphous silicon at the opposite surface. The transition can
be monotonic, and can be either continuous or it can change abruptly from
polysilicon to amorphous silicon. If such a layer is formed as the
floating gate of a floating gate transistor structure, the larger grain
structure adjacent to the tunnel dielectric layer reduces the formation of
a tip (protrusion) and thus reduces leakage. On the other hand, the
smaller grain structure adjacent to the gate dielectric layer produces a
smooth, more uniform gate dielectric layer. The polysilicon-to-amorphous
silicon transistor can be fabricated with a temperature profile that
favors polysilicon formation at the start of floating gate deposition, and
transitions during deposition to a temperature that favors amorphous
silicon deposition at the end of floating gate deposition.
Descritto approssimativamente, transizioni di strato del silicone da polysilicon ad una superficie a silicone amorfo alla superficie opposta. La transizione può essere monotona e può essere o continua o può cambiare bruscamente da polysilicon a silicone amorfo. Se un tal strato è formato mentre il cancello di galleggiante di una struttura di galleggiante del transistore del cancello, la più grande struttura del grano adiacente allo strato dielettrico del traforo riduce la formazione di una punta (sporgenza) e così riduce la perdita. D'altra parte, la più piccola struttura del grano adiacente allo strato dielettrico del cancello produce un liscio, più strato del dielettrico del cancello dell'uniforme. Il transistore polysilicon-$$$-AMORFO del silicone può essere fabbricato con un profilo termico che favorisce la formazione del polysilicon all'inizio del deposito di galleggiante del cancello e le transizioni durante il deposito ad una temperatura quel deposito amorfo del silicone di favori alla conclusione del deposito di galleggiante del cancello.
