A solid-state inductor and a method for forming a solid-state inductor are
provided. The method comprises: forming a bottom electrode; forming a
colossal magnetoresistance (CMR) thin film overlying the bottom electrode;
forming a top electrode overlying the CMR thin film; applying an
electrical field treatment to the CMR thin film in the range of 0.4 to 1
megavolts per centimeter (MV/cm) with a pulse width in the range of 100
nanoseconds (ns) to 1 millisecond (ms); in response to the electrical
field treatment, converting the CMR thin film into a CMR thin film
inductor; applying a bias voltage between the top and bottom electrodes;
and, in response to the applied bias voltage, creating an inductance
between the top and bottom electrodes. When the applied bias voltage is
varied, the inductance varies in response.
Обеспечены полупроводниковый индуктор и метод для формировать полупроводниковый индуктор. Метод состоит из: формировать нижний электрод; формировать колоссальную пленку magnetoresistance (CMR) тонкую overlying нижний электрод; формировать верхний электрод overlying пленка CMR тонкая; прикладывающ обработку электрического поля к пленке CMR тонкой в ряде megavolts 0.4 до 1 согласно с сантиметр (MV/cm) с шириной ИМПА ульс в ряде 100 наносекунд (ns) до 1 миллисекунда (госпожа); in response to обработка электрического поля, преобразовывая пленку CMR тонкую в индуктор тонкой пленки CMR; придавать косое напряжение тока между верхними и нижними электродами; и, in response to applied косое напряжение тока, создавая индуктивность между верхними и нижними электродами. Когда applied косое напряжение тока поменяно, индуктивность меняет в реакции.
