Disclosed is a method of making a SVGMR sensor element. In the first
embodiment a buffer layer is formed between a seed layer and a
ferromagnetic (FM) free layer, the buffer layer being composed of
alpha-Fe.sub.2 O.sub.3 having a crystal lattice constant that is close to
the FM free layer's crystal constant and has the same crystal structure.
The metal oxide buffer layer enhances the specular scattering. In the
second embodiment, a high conductivity layer (HCL) is formed over the
buffer layer to create a spin filter-SVGMR. The HCL layer enhances the GMR
ratio of the spin filter SVGMR. The third embodiment include a pinned FM
layer comprising a three layer structure of a lower AP layer, a space
layer (e.g., Ru) and an upper AP layer.
Se divulga un método de hacer un elemento del sensor de SVGMR. En la primera encarnación a la capa del almacenador intermediario se forma entre una capa y (FM) una capa libre ferromagnética, la capa de la semilla del almacenador intermediario que es compuesta de alpha-Fe.sub.2 O.sub.3 que tiene una constante del enrejado cristalino que esté cerca del cristal de la capa libre de FM constante y tenga la misma estructura cristalina. La capa del almacenador intermediario del óxido de metal realza la dispersión specular. En la segunda encarnación, una alta capa de la conductividad (HCL) se forma sobre la capa del almacenador intermediario para crear un filtro-SVGMR de la vuelta. La capa de HCL realza el cociente de GMR del filtro SVGMR de la vuelta. La tercera encarnación incluye fijó la capa de FM que abarca una estructura de tres capas de una capa más baja del AP, de una capa del espacio (e.g., Ru) y de una capa superior del AP.
