In an exposure system, a predetermined wafer (5) is exposed with the first
exposure layout by using a projection optical system (4) for projecting
the pattern of a reticle (2) onto the wafer, an illumination device (10)
and light-receiving device (11) for detecting a plurality of plane
positions on the wafer (5), and a driving unit for driving the wafer (5)
along the optical axis of the projection optical system (4). Prior to the
second exposure with the second exposure layout at the second exposure
field size, a position where a plane position is to be detected is
determined on the basis of at least one of the first exposure field size,
the first exposure layout, and underlayer information of the first
exposure. Then, the plane position is detected.
В систему выдержки, предопределенная вафля (5) подвергается действию с первым планом выдержки путем использование системы проекции оптически (4) для проектировать картину перекрещения (2) на вафлю, приспособление освещения (10) и свет-polucat6 приспособление (11) для обнаруживать множественность плоских положений на вафле (5), и управляя блок для управлять вафлей (5) вдоль оптически оси системы проекции оптически (4). До второй выдержки с вторым планом выдержки на втором размере поля выдержки, положение где плоское положение должно быть обнаруженным обусловлено on the basis of по крайней мере один из первого размера поля выдержки, первого плана выдержки, и данных по underlayer первой выдержки. После этого, плоское положение обнаружено.
