A methodology for forming a reflective mask is disclosed. The mask
facilitates accurate pattern transfers as a substantially defect free
reflective coating is formed therein. The mask can generally be formed
according to four main steps, for example, which include depositing a
reflective coating (e.g., formed of multiple layers) over a substrate,
patterning and then inspecting for defects a masking material formed over
the reflective coating, correcting such defects and finally patterning the
reflective coating with the patterned masking material serving as a guide.
Une méthodologie pour former un masque r3fléchissant est révélée. Le masque facilite des transferts précis de modèle pendant que sensiblement un enduit r3fléchissant libre de défaut est formé là-dedans. Le masque peut généralement être formé selon quatre étapes principales, par exemple, qui incluent déposer un enduit r3fléchissant (par exemple, formé des couches multiples) au-dessus d'un substrat, modelant et puis inspectant pour déceler les défauts un matériel masquant a formé au-dessus de l'enduit r3fléchissant, corrigeant de tels défauts et modelant finalement l'enduit r3fléchissant avec la portion modelée de matériel masquant comme guide.
