A gate metal is formed in a film, the foregoing gate metal is partially
etched per each TFT having a different property, and a gate electrode is
fabricated. Specifically, a resist mask is fabricated by exposing a resist
to light per each TFT having a different property which is required. A
gate metal is etched per each TFT having a different property which is
required using the foregoing resist mask. At this time, a gate metal
covering a semiconductor active layer of a TFT except for the TFT during
the time when the patterning of a gate electrode is performed is left as
it is covered. The step of fabricating a gate electrode of each TFT may be
performed under the conditions optimized in conformity with the required
property.
Un métal de porte est formé dans un film, le métal antérieur de porte est partiellement gravé à l'eau-forte par chaque TFT ayant une propriété différente, et une électrode de porte est fabriquée. Spécifiquement, un masque de résistance est fabriqué en exposant une résistance à la lumière par chaque TFT ayant une propriété différente qui est exigée. Un métal de porte est gravé à l'eau-forte par chaque TFT ayant une propriété différente qui est exigée en utilisant l'antérieur résiste au masque. Actuellement, un métal de porte couvrant une couche active de semi-conducteur d'un TFT excepté le TFT pendant le moment où modeler d'une électrode de porte est exécuté est laissé pendant qu'il est couvert. L'étape de fabriquer une électrode de porte de chaque TFT peut être exécutée dans les conditions optimisées conformément à la propriété exigée.
