By using lasers having different wavelengths in laser annealing of an
amorphous semiconductor film, the amorphous semiconductor film can be
crystallized and the crystallinity of the crystallized film is improved. A
laser 126 to 370 nm in wavelength is used first to subject an amorphous
semiconductor film to laser annealing, thereby obtaining a crystalline
semiconductor film. In desirable laser annealing, a subject surface is
irradiated with a laser beam processed by an optical system into a linear
laser beam that is linear in section on the subject surface. Next, a laser
370 to 650 nm in wavelength is used to irradiate the above crystalline
semiconductor film by again processing the laser beam into a linear beam
through an optical system. A crystalline semiconductor film thus obtained
has an excellent crystallinity. If this crystalline semiconductor film is
used to form an active layer of a TFT, an electric characteristic of the
TFT can be improved.
Indem man die Laser verwendet, die unterschiedliche Wellenlängen im Laser Ausglühen eines formlosen Halbleiterfilmes haben, kann der formlose Halbleiterfilm kristallisiert werden und die Kristallinität des kristallisierten Filmes wird verbessert. Ein Laser 126 bis 370 nm in der Wellenlänge wird zuerst benutzt, um einen formlosen Halbleiterfilm dem Laser Ausglühen zu unterwerfen, dadurch erhält man einen kristallenen Halbleiterfilm. Im wünschenswerten Laser Ausglühen wird eine vorbehaltliche Oberfläche mit einem Laserstrahl bestrahlt, der durch ein optisches System zu einem linearen Laserstrahl verarbeitet wird, der im Abschnitt auf der vorbehaltlichen Oberfläche linear ist. Zunächst wird ein Laser 370 bis 650 nm in der Wellenlänge benutzt, um den oben genannten kristallenen Halbleiterfilm zu bestrahlen, indem man wieder den Laserstrahl zu einem linearen Lichtstrahl durch ein optisches System verarbeitet. Ein kristallener folglich erhaltener Halbleiterfilm hat eine ausgezeichnete Kristallinität. Wenn dieser kristallene Halbleiterfilm benutzt wird, um eine aktive Schicht eines TFT zu bilden, kann eine elektrische Eigenschaft des TFT verbessert werden.