Method of manufacturing a semiconductor device

   
   

By using lasers having different wavelengths in laser annealing of an amorphous semiconductor film, the amorphous semiconductor film can be crystallized and the crystallinity of the crystallized film is improved. A laser 126 to 370 nm in wavelength is used first to subject an amorphous semiconductor film to laser annealing, thereby obtaining a crystalline semiconductor film. In desirable laser annealing, a subject surface is irradiated with a laser beam processed by an optical system into a linear laser beam that is linear in section on the subject surface. Next, a laser 370 to 650 nm in wavelength is used to irradiate the above crystalline semiconductor film by again processing the laser beam into a linear beam through an optical system. A crystalline semiconductor film thus obtained has an excellent crystallinity. If this crystalline semiconductor film is used to form an active layer of a TFT, an electric characteristic of the TFT can be improved.

Indem man die Laser verwendet, die unterschiedliche Wellenlängen im Laser Ausglühen eines formlosen Halbleiterfilmes haben, kann der formlose Halbleiterfilm kristallisiert werden und die Kristallinität des kristallisierten Filmes wird verbessert. Ein Laser 126 bis 370 nm in der Wellenlänge wird zuerst benutzt, um einen formlosen Halbleiterfilm dem Laser Ausglühen zu unterwerfen, dadurch erhält man einen kristallenen Halbleiterfilm. Im wünschenswerten Laser Ausglühen wird eine vorbehaltliche Oberfläche mit einem Laserstrahl bestrahlt, der durch ein optisches System zu einem linearen Laserstrahl verarbeitet wird, der im Abschnitt auf der vorbehaltlichen Oberfläche linear ist. Zunächst wird ein Laser 370 bis 650 nm in der Wellenlänge benutzt, um den oben genannten kristallenen Halbleiterfilm zu bestrahlen, indem man wieder den Laserstrahl zu einem linearen Lichtstrahl durch ein optisches System verarbeitet. Ein kristallener folglich erhaltener Halbleiterfilm hat eine ausgezeichnete Kristallinität. Wenn dieser kristallene Halbleiterfilm benutzt wird, um eine aktive Schicht eines TFT zu bilden, kann eine elektrische Eigenschaft des TFT verbessert werden.

 
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